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NIE-4000 IBE離子束刻蝕機

NIE-4000 IBE離子束刻蝕機:如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物,這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。樣品表面通常采用厚膠作為掩模,刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。NANO-MASTER技術(shù)可以把基片溫度控制在50℃以內(nèi),以便消除熱量及后續(xù)的光刻膠剝離。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2024-08-20
  • 訪  問  量:164
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產(chǎn)品詳情

NIE-4000 IBE離子束刻蝕機概述:

如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物,這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。樣品表面通常采用厚膠作為掩模,刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。NANO-MASTER技術(shù)可以把基片溫度控制在50℃以內(nèi),以便消除熱量及后續(xù)的光刻膠剝離,同時支持

晶圓旋轉(zhuǎn)以達(dá)到想要的均勻度。

該系統(tǒng)為計算機全自動實現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng),具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設(shè)計易于維護(hù)、低成本的優(yōu)勢。


NIE-4000 IBE離子束刻蝕機特點:

  • 14.5"不銹鋼立體離子束腔體

  • 16cm DC離子槍1000eV,500mA, 氣動不銹鋼遮板

  • 離子束中和器

  • 氬氣MFC

  • 6"水冷樣品臺

  • 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM,真空步進(jìn)電機

  • 步進(jìn)電機控制晶圓片傾斜

  • 手動或自動上下載晶圓片

  • 典型刻蝕速率:銅200 ?/min, 硅:500 ?/min

  • 6"范圍內(nèi),刻蝕均勻度+/-3%

  • 極限真空5x10-7Torr,20分鐘內(nèi)可達(dá)到10-6Torr級別(配套500 l/s渦輪分子泵)

  • 配套1000 l/s渦輪分子泵,極限真空可達(dá)8x10-8Torr

  • 磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化

  • 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制

  • 菜單驅(qū)動,4級密碼訪問保護(hù)

  • 完整的安全聯(lián)鎖



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