NIE-4000 IBE離子束刻蝕機概述：

如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。樣品表面通常采用厚膠作為掩模，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。NANO-MASTER技術可以把基片溫度控制在50℃以內，以便消除熱量及后續(xù)的光刻膠剝離，同時支持

晶圓旋轉以達到想要的均勻度。

該系統(tǒng)為計算機全自動實現工藝控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，具有結構緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設計易于維護、低成本的優(yōu)勢。

NIE-4000 IBE離子束刻蝕機特點：

• 14.5"不銹鋼立體離子束腔體

• 16cm DC離子槍1000eV,500mA, 氣動不銹鋼遮板

• 離子束中和器

• 氬氣MFC

• 6"水冷樣品臺

• 晶片旋轉速度3、10RPM，真空步進電機

• 步進電機控制晶圓片傾斜

• 手動或自動上下載晶圓片

• 典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min

• 6"范圍內，刻蝕均勻度+/-3%

• 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內可達到10-6Torr級別（配套500 l/s渦輪分子泵）

• 配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達8x10-8Torr

• 磁控濺射Si3N4以保護被刻蝕金屬表面被氧化

• 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制

• 菜單驅動，4級密碼訪問保護

• 完整的安全聯鎖