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技術(shù)文章/ article

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  • 2024-10-10

    飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜(TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry,TOF-SIMS)是通過(guò)高能量的一次離子束轟擊樣品表面,使樣品表面的原子或原子團(tuán)吸收能量而從表面發(fā)生濺射產(chǎn)生二次粒子,這些帶電粒子經(jīng)過(guò)質(zhì)量分析器后就可以得到關(guān)于樣品表面信息的圖譜。SIMS用于在超高真空條件下分析固體樣品中元素、分子和同位素的分布和相對(duì)濃度,是zui靈敏的表面分析技術(shù)之一。SIMS可用于成像、光譜分析和深度剖面/三維分析。光譜分析模式可用于評(píng)估聚合物涂層的組...

  • 2024-09-25

    全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)是一種利用磁場(chǎng)控制電子運(yùn)動(dòng)軌跡,使電子與靶材發(fā)生碰撞并濺射出原子或分子,從而在基片上形成薄膜的設(shè)備。與傳統(tǒng)的磁控濺射設(shè)備相比,在結(jié)構(gòu)上增加了自動(dòng)化控制系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)整個(gè)濺射過(guò)程的精確控制和自動(dòng)化操作。主要由真空室、磁控濺射源、基片加熱器、真空測(cè)量與控制系統(tǒng)以及自動(dòng)化控制系統(tǒng)等部分組成。其中,自動(dòng)化控制系統(tǒng)是核心部分,它通過(guò)接收傳感器的信號(hào),實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)濺射過(guò)程中的各項(xiàng)參數(shù)(如真空度、溫度、電流等),并根據(jù)預(yù)設(shè)的程序自動(dòng)調(diào)整各項(xiàng)參數(shù),以保證薄膜的質(zhì)量和一致性。廣...

  • 2024-09-13

    二次離子質(zhì)譜法是一種高效的分析技術(shù),利用化合物的離子化過(guò)程及其質(zhì)量分析,以確定待測(cè)化合物的分子量、分子式和結(jié)構(gòu)特征。質(zhì)譜儀作為該方法的重要組成部分,通過(guò)將離子的質(zhì)量進(jìn)行有效分離,并依據(jù)電荷與質(zhì)量比率輸出至檢測(cè)器,在此被探測(cè)并轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。簡(jiǎn)介在質(zhì)譜分析中,有三種常見(jiàn)的質(zhì)譜儀離子分析器可用于離子的分離。四極桿質(zhì)譜儀飛行時(shí)間質(zhì)譜儀磁扇形質(zhì)量分析儀四極桿質(zhì)譜儀直流偏壓會(huì)使所有帶電分子加速并遠(yuǎn)離中心線,其速度與它們的電荷與質(zhì)量比成正比。當(dāng)這些分子的軌跡偏離過(guò)大時(shí),它們將撞擊金屬棒或...

  • 2024-08-29

    TOF-SIMS(TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry)飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的基本組件包括一次離子束,和用于樣品深度剖析的離子束。主離子束被脈沖化以供飛行時(shí)間質(zhì)譜儀進(jìn)行分析使用。鉍基液態(tài)金屬離子槍?zhuān)↙MIGs)是商業(yè)ToF-SIMS中常用的離子源。與金等其他LMIG源相比,鉍基離子源可以在較低的溫度下工作,并能產(chǎn)生用于分析的離子簇(例如Bi3+)。這些離子束可以緊密聚焦,以實(shí)現(xiàn)高空間分辨率(亞表面分析可通過(guò)在雙束模式操作來(lái)實(shí)現(xiàn),包...

  • 2024-08-27

    全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)是一種利用磁場(chǎng)控制等離子體濺射技術(shù)在基材上沉積薄膜的材料制備設(shè)備。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電、材料科學(xué)、裝飾鍍膜等領(lǐng)域,用于生產(chǎn)各種功能性和裝飾性薄膜。通過(guò)精確控制濺射過(guò)程中的各種參數(shù),實(shí)現(xiàn)了高效率、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量的薄膜沉積。工作原理基于濺射效應(yīng),即在真空環(huán)境下,通過(guò)電場(chǎng)加速的氣體離子(通常是氬離子)轟擊靶材,使靶材原子或分子被轟擊出來(lái),然后沉積在基材上形成薄膜。磁控部分則是通過(guò)靶材背后的磁場(chǎng)設(shè)計(jì),有效延長(zhǎng)了電子在等離子體中的運(yùn)動(dòng)路徑,提高了氣體離化率和濺射效...

  • 2024-08-13

    靜態(tài)SIMS是一種非常靈敏的表面分析技術(shù),能在只消耗樣品單層一小部分的情況下,獲得詳細(xì)的質(zhì)譜圖。被分析的分子來(lái)自固體表面前幾層,這對(duì)于探討材料關(guān)鍵區(qū)域例如附著力或催化等性質(zhì)至關(guān)重要。Kore公司的TOF-SIMSSurfaceSeer系列產(chǎn)品為科研和工業(yè)領(lǐng)域提供了高性?xún)r(jià)比的表面分析解決方案。以下數(shù)據(jù)展示了SurfaceSeer儀器在材料研究和分析方面的一些優(yōu)勢(shì)。實(shí)驗(yàn)質(zhì)量分辨率和準(zhǔn)確性圖1.污染鋁接頭近來(lái),儀器的質(zhì)量分辨率和準(zhǔn)確度均已經(jīng)提高到2000(M/ΔM)以上。上圖展示了...

  • 2024-08-06

    飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜(TOF-SIMS)是一種表面分析技術(shù),它將脈沖一次離子束聚焦到樣品表面,在濺射過(guò)程中產(chǎn)生二次離子。分析這些二次離子可提供有關(guān)樣品表面的分子、無(wú)機(jī)和元素種類(lèi)的信息。例如,如果表面吸附了有機(jī)污染物(如油),TOF-SIMS將揭示這些信息,而其他技術(shù)則難以實(shí)現(xiàn),特別是在污染物含量極低的情況下。由于TOF-SIMS是一種測(cè)量技術(shù),因此通??梢詸z測(cè)到元素周期表中的所有元素,包括H。此外,這種分析可以提供質(zhì)譜信息;樣品上XY維度的圖像信息;以及Z方向的深度剖面信息到...

  • 2024-08-01

    什么是TOFSIMS?它可以應(yīng)用于哪些領(lǐng)域?能提供哪些信息?哪些樣品適用(哪些不適用)?在這一系列文章中,我們將解答所有這些問(wèn)題,以及更多探討。飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法(ToFSIMS)是一種用于研究固體表面和薄膜的三維化學(xué)組成的表面分析技術(shù)。聚焦的一次離子束轟擊目標(biāo)表面,產(chǎn)生中性原子/分子、二次離子和電子。二次離子通過(guò)飛行時(shí)間質(zhì)譜儀進(jìn)行收集和分析。質(zhì)譜儀通過(guò)精確測(cè)量離子到達(dá)探測(cè)器所需的時(shí)間(即“飛行時(shí)間”)來(lái)測(cè)量離子的質(zhì)荷比(m/z)。通過(guò)掃描一次離子束在樣品表面的區(qū)域,可以...

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