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微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的微波PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源,樣品臺(tái)通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓??芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵,真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個(gè)MFC。

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2024-08-12
  • 訪  問  量:1632
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產(chǎn)品詳情

微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述:NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜,至大可達(dá)6" 直徑的基片上,該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子,具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì),樣品臺(tái)可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵,腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。

  • 標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)MFC;

  • 帶有氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求,無論是等離子強(qiáng)度、均勻度,還是要分別激活某些活性組份;

  • 系統(tǒng)可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。

微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)應(yīng)用:

  1. 等離子誘導(dǎo)表面改性:就是通常所說的用等離子實(shí)現(xiàn)表面改性(如親水性、疏水性等);

  2. 等離子清洗:去除有機(jī)污染物;

  3. 等離子聚合:對(duì)材料表面產(chǎn)生聚合反應(yīng);

  4. 沉積二氧化硅、氮化硅、DLC(類金剛石),以及其它薄膜;

  5. CNT(碳納米管)和石墨烯的選擇性生長:在需要的位置生長CNT或石墨烯。

特點(diǎn):

  • 立式系統(tǒng)

  • 自動(dòng)上下載片,帶預(yù)真空鎖

  • 不銹鋼或鋁制腔體

  • 極限真空可達(dá)10-7Torr

  • RF淋浴頭,HCD或微波等離子源

  • 高達(dá)6"(150mm)直徑的樣品臺(tái)

  • RF射頻偏壓樣品臺(tái)

  • 水冷樣品臺(tái)

  • 可加熱到的800 °C樣品臺(tái)

  • 加熱的氣體管路

  • 加熱的液體傳送單元

  • 抗腐蝕的渦輪分子泵組

  • z大可支持到8MFC

  • 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制

  • 菜單驅(qū)動(dòng),4級(jí)密碼訪問保護(hù)

  • 完整的安全聯(lián)鎖


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