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NRE-4000(M)反應(yīng)離子刻蝕

NRE-4000(M)反應(yīng)離子刻蝕:獨(dú)立式RIE系統(tǒng),淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品,不銹鋼柜子以及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2“的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持Z大到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì),并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr到8Torr之間的真空

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2023-11-13
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:2632
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產(chǎn)品詳情

反應(yīng)離子刻蝕

NRE-4000(M)反應(yīng)離子刻蝕概述

NRE-4000是一款獨(dú)立式RIE系統(tǒng),配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持大到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì),并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(Formblin泵油).RF射頻功率通過(guò)600W,13.56MHz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500V.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。

該系統(tǒng)是基于PC控制的全自動(dòng)系統(tǒng).系統(tǒng)真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實(shí)時(shí)顯示,流量及功率則以數(shù)字形式實(shí)時(shí)顯示.系統(tǒng)提供密碼保護(hù)的四級(jí)訪(fǎng)問(wèn)功能:操作員級(jí)、工程師級(jí)、工藝人員級(jí),以及維護(hù)人員級(jí).允許半自動(dòng)模式(工程師模式)、寫(xiě)程序模式(工藝模式), 和全自動(dòng)執(zhí)行程序模式(操作模式)運(yùn)行系統(tǒng)?;谌詣?dòng)的控制,該系統(tǒng)具有高度的可重復(fù)性。

NRE-4000(M)反應(yīng)離子刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 鋁質(zhì)腔體或不銹鋼腔體
  • 不銹鋼立柜
  • 能夠刻蝕硅的化合物(~400Å /min)以及金屬
  • 典型的硅刻蝕速率,400 Å/min
  • 高達(dá)12”的陽(yáng)極氧化鋁RF樣品臺(tái)
  • 水冷及加熱的RF樣品臺(tái)
  • 大自偏壓
  • 淋浴頭氣流分布
  • 極限真空5x10-7Torr,20分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6Torr級(jí)別
  • 渦輪分子泵
  • 至多支持8個(gè)MFC
  • 無(wú)繞曲氣體管路
  • 自動(dòng)下游壓力控制
  • 雙刻蝕能力支持:RIE以及PE刻蝕(可選)
  • 終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
  • 氣動(dòng)升降頂蓋
  • 手動(dòng)上下載片
  • 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
  • 菜單驅(qū)動(dòng),4級(jí)密碼訪(fǎng)問(wèn)保護(hù)
  • *的安全聯(lián)鎖
  • 可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺(tái),用于深硅刻蝕

NRE-4000(M) Features

  • Aluminum or Stainless Steel Chamber
  • Stainless Steel Cabinet
  • Capable of etching Si compounds (~400 Å /min)and metals
  • Typical Si etch rate, 400 Å/min
  • Up to 12“ Anodized RF Platen
  • Water Cooled and Heated RF Platen
  • Large Self Bias
  • Shower Head gas distribution
  • Approximay 10-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressure
  • Turbomolecular Pump
  • Up to eight MFCs
  • No flexing of gas lines
  • Down Stream Pressure Control
  • Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch(Option)
  • End Point Detection
  • Pneumatically Lifted Top
  • Manual loading/unloading
  • PC Controlled with LabVIEW
  • Recipe Driven, Password Protected
  • Fully Safety Interlocked 
  • Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch
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