原子層沉積技術(shù)經(jīng)過四十多年的發(fā)展，無論是在沉積材料的種類還是具體沉積方法的擴(kuò)展與改進(jìn)上，都已經(jīng)取得了長足進(jìn)步，在眾多領(lǐng)域更是展現(xiàn)出令人期待的商業(yè)前景。但傳統(tǒng)的熱原子層沉積技術(shù)在發(fā)展過程中仍面臨著一些挑戰(zhàn)。比如：原子層沉積前驅(qū)體往往都是金屬有機(jī)化合物，合適的前驅(qū)體種類較少而且價(jià)格昂貴；傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)因需要長時(shí)間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長，沉積速率較慢，不適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)；
此外，熱原子層沉積技術(shù)難以用來沉積金屬Ti，Ta等特殊材料。隨著原子層沉積技術(shù)與其他先進(jìn)技術(shù)不斷融合以及人們對原子層沉積設(shè)備的不斷改進(jìn)，諸如“等離子體增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)”、“空間式原子層沉積技術(shù)”、“流化床原子層沉積技術(shù)”等新型原子層沉積技術(shù)逐漸出現(xiàn)并在一定程度上有效解決了傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)所面臨的諸多難題。
從文獻(xiàn)報(bào)道來看，針對太陽能光伏領(lǐng)域的應(yīng)用，一套成熟的空間式原子層沉積設(shè)備需保證每小時(shí)超過3000片156×156mm2規(guī)格Si片的生產(chǎn)能力。由于空間式原子層沉積設(shè)備中沉積速率不再受限于單個循環(huán)步驟的累計(jì)時(shí)間，僅取決于襯底或前驅(qū)體噴嘴在兩個半反應(yīng)區(qū)間移動所需的時(shí)間，而薄膜厚度也僅取決于噴頭上所集成的沉積單元數(shù)量，若能保證1s通過一個這樣規(guī)格的Si片，目前的設(shè)計(jì)*可以滿足工業(yè)化應(yīng)用需求。
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更新時(shí)間：2020-06-02 
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