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ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)

NPE-4000(ICPM)ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源,樣品臺通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓??芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。

  • 產(chǎn)品型號:NPE-4000(ICPM)
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2023-11-13
  • 訪  問  量:2774
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產(chǎn)品詳情

 ICPECVD沉積技術(shù)

NPE-4000(ICPM)ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)概述:NANO-MASTER ICPECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, DLC薄膜到z大可達6直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子,具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求,無論是等離子強度、均勻度,還是要分別激活某些活性組份,這樣系統(tǒng)可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。

NPE-4000(ICPM)ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)應用:

  1. 等離子誘導表面改性:就是通常所說的用等離子實現(xiàn)表面改性(如親水性、疏水性等)
  2. 等離子清洗:去除有機污染物
  3. 等離子聚合:對材料表面產(chǎn)生聚合反應
  4. 沉積二氧化硅、氮化硅、DLC(類金剛石),以及其它薄膜
  5. CNT(碳納米管)和石墨烯的選擇性生長:在需要的位置生長CNT或石墨烯。

NPE-4000(ICPM)特點:

  • 立式ICPECVD系統(tǒng)
  • 不銹鋼或鋁制腔體
  • 極限真空可達10-7Torr
  • ICP離子源
  • 高達12”(300mm)直徑的樣品臺
  • RF射頻偏壓樣品臺
  • 水冷樣品臺
  • 可加熱到的800 °C樣品臺
  • 加熱的氣體管路
  • 加熱的液體傳送單元
  • 抗腐蝕的渦輪分子泵組
  • z大可支持到8MFC
  • 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
  • 菜單驅(qū)動,4級密碼訪問保護
  • 完整的安全聯(lián)鎖 
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