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ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
聯(lián)系電話:021-62318025
ICPECVD沉積技術(shù)
NPE-4000(ICPM)ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)概述:NANO-MASTER ICPECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到z大可達6” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子,具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求,無論是等離子強度、均勻度,還是要分別激活某些活性組份,這樣系統(tǒng)可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
NPE-4000(ICPM)ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)應用:
NPE-4000(ICPM)特點: