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NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)
聯(lián)系電話:021-62318025
NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)概述:
如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物,這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下,樣品表面采用厚膠作為掩模層,刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量,否則光刻膠將變得非常難以去除。
NANO-MASTER技術已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時,旋轉晶圓片以達到想要的均勻度。
NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)特點:
14.5"不銹鋼立體離子束腔體
16cm DC離子槍1000eV,500mA, 氣動不銹鋼遮板
離子束中和器
氬氣MFC
6"水冷樣品臺
晶片旋轉速度3、10RPM,真空步進電機
步進電機控制晶圓片傾斜
手動或自動上下載晶圓片
典型刻蝕速率:銅200 ?/min, 硅:500 ?/min
6"范圍內(nèi),刻蝕均勻度+/-3%
極限真空5x10-7Torr,20分鐘內(nèi)可達到10-6Torr級別(配套500 l/s渦輪分子泵)
配套1000 l/s渦輪分子泵,極限真空可達8x10-8Torr
磁控濺射Si3N4以保護被刻蝕金屬表面被氧化
基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
菜單驅(qū)動,4級密碼訪問保護
完整的安全聯(lián)鎖